摘要：在电路学里，欧姆定律（英语：Ohm's law）表明：电导体两端的电压 V {\displaystyle V} 与通过电导体的电流 I {\displaystyle I} 成正比。数学表达式为： V ∝ I {\displaystyle V\propto I} 因此，对於任意电导体（电路、电路元件、甚至电阻器），电阻。...在电路学里，欧姆定律（英语：Ohm's law）表明：电导体两端的电压 V {\displaystyle V} 与通过电导体的电流 I {\displaystyle I} 成正比。数学表达式为： V ∝ I {\displaystyle V\propto I} 因此，对於任意电导体（电路、电路元件、甚至电阻器），电阻。
{\displaystyle R={U \over I}} 其中 I是流过导体的电流，单位是安培（A）。 U是导体两端的电位差，单位是伏特（V）。 R是导体的电阻，单位是欧姆（Ω）。 电阻器是电子电路中常见的元件，实际的电阻可以由许多不同材质构成，包括薄膜、水泥或是高电阻系数的镍铬合金（电阻丝（英语：resistance。
{ \ d i s p l a y s t y l e R = { U \ o v e r I } } qi zhong I shi liu guo dao ti de dian liu ， dan wei shi an pei （ A ） 。 U shi dao ti liang duan de dian wei cha ， dan wei shi fu te （ V ） 。 R shi dao ti de dian zu ， dan wei shi ou mu （ Ω ） 。 dian zu qi shi dian zi dian lu zhong chang jian de yuan jian ， shi ji de dian zu ke yi you xu duo bu tong cai zhi gou cheng ， bao kuo bo mo 、 shui ni huo shi gao dian zu xi shu de nie ge he jin （ dian zu si （ ying yu ： r e s i s t a n c e 。
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Model，简称HBM），机器模型（Machine Model，简称MM），充电器件模型（Charged-Device Model，简称CDM）。 其中最广泛使用的是人体模型，以一个100pF的电容和一个1500欧姆的电阻进行静电放电测试。 电现象 静电放电概论 第一部分—静电放电（ESD）简介 (PDF). 静电放电协会. 2013。
之间的关係，总品质损失函数可分为三种： 式1中 y i {\displaystyle y_{i}} 越接近m则品质损失越小。例如当电阻器的设计公差为5±0.10欧姆，则电阻为5.099和5.101欧姆的两个电阻器的品质损失几乎没有差异。 1 n ∑ k = 1 n k ( y i − m ) 2 = k × M S D = k ×。
量法（也称为四点探针测量法）或范德堡法来测量。 薄膜电阻用欧姆每平方（ Ω / s q {\displaystyle \Omega /sq} ）来计量，可被应用于将薄膜考虑为一个二维实体的二维系统。它与三维系统下所用的电阻率的概念对等。当使用到薄膜电阻一词的时候，电流必须沿着薄膜平面流动，而非与其垂直。。
欧姆发热。除了发热，在不大幅减少幅度和传播长度的情况下，也很难改变电路中等离子体信号的方向。对于弯曲传播方向的问题，一个聪明的解决方案是使用布拉格反射镜来调整信号在特定方向上的角度，甚至用作信号的分离器。最后，等离子学在热发射操纵和热辅助磁记录方面的新兴应用，利用金属中的欧姆损耗来获得具有新的增强功能的设备。。
0.775 VRMS。由于历史原因，此参考电压是在600欧姆电阻上耗散1 mW功率的电压，用于电话音频电路的标准阻抗。 在光路（optical link）中，如果已知功率（使用dBm单位，参考值为1 mW）的光注入光纤，每个电子元件（例如连接器、接头器、光纤长度)损。
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。。
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1826年，德国物理学家格奥尔格·欧姆从傅立叶对热传导规律的研究中受到启发，在傅立叶的热传导理论中，导热杆中两点的热流量正比于这两点之间的温度差。因而欧姆猜想电传导与热传导相似，导线中两点之间的电流也正比于这两点间的某种驱动力（欧姆称之为电张力，即现在所称的电动势）。欧姆。
欧姆的终端电阻。接收端透过所谓的「插入式分接头」插入电缆的內芯和屏蔽层。在电缆终结处使用N型连接器。尽管由於早期的大量布设，到现在还有一些系统在使用，这一標准实际上被10BASE2取代。 10BASE2（又称细缆（Thin Ethernet）或模擬网路）── 10BASE5后的产品，使用。
”的概率。 在使用一致性历史诠释时通常还需考察到量子退相干效应。这一效应展示不可逆的宏观过程（包括所有经典测量）都自行呈现出历史一致性，其可以允许人们通过经典规律以及常识去分析测量结果。对于退相干进行更为精细的分析可以从理论上对经典领域不变性与量子领域不变性之间的界限进行量子化的计算。罗兰·欧姆内斯（英语：Roland。
PPTC特性是在正常电流情况下呈现低电阻，约数毫欧到数欧姆之间。在过电流故障下，电阻急剧升高，从而保护后端电路。由于具有优异的可恢复特性，用于过电流保护时，在故障消除之后，电路可自动恢复到导通状态，省去传统保险丝熔断后需更换的不便。 PPTC主要的供应商与他们对可復式保险丝所使用的商標或註册商標有： Tyco Elelctronics/Raychem。
一些作者把它称为"有源模式"，为了更好的和双极晶体管操作区对比。 当需要放大的时候一般用饱和模式或者欧姆模式与饱和模式的中间模式。中间模式有时被认为是欧姆或线性模式的一部分，尽管漏电流并不随着漏电压大致线性增长。 尽管在饱和模式下，栅源电压形成的导电沟道不再和源相连，载流子的。
电气、电子等测量领域，一般包含电流表（安培计）、电压表（伏特计）、电阻表（欧姆计）等功能。此仪表也称为多用计、万用计、多用电表、万用电表。 指针多用表在英文中又称 VOM（Volt-Ohm-Milliammeter，伏特-欧姆-毫安计），但此名称通常並不用於数字多用表。。
{\displaystyle {\mbox{Copper Loss}}\propto I^{2}\cdot R} 其中 I是流经导线的电流，单位安培 R是导线的电阻，单位欧姆 计算所得的铜损单位为瓦特。 焦耳加热的性能係数（COP）为1.0，意思是每消耗一瓦特的电能，会转换一瓦特的热能，焦耳加热消耗的能量为 Copper。
即安培定律。1821年，德国物理学家托马斯·约翰·塞贝克描述了在两种不同金属接界处因温差而导致的电势差，即热电效应。1827年，德国科学家格奥尔格·欧姆在著作《直流电路的数学研究》（Die galvanische Kette, mathematisch bearbeitet）中完整阐述了他的电学理论。
特性阻抗是某一给定电波在传输线上任意一点复电压与复电流的比值。常见电缆阻抗Z0的典型数值：同轴电缆 - 50或75欧姆, 扭绞二股线 - 约100欧姆，广播传输用的平行二股线 - 约300欧姆。 当在传输线上发送功率时， 最好的情况是尽可能多的功率被负载吸收，尽可能少的功率被反射回发送端。在负载阻抗等。
in 1894. 展会报告【Exhibition Report】 Techno Frontier 2017 - New Energy新闻 总结：在欧姆龙展位展示的“第二共振”技术，即使线圈轴线偏移了10厘米，也保持了90％左右的效率。关键是仅在次级侧构建谐振电路。如果构造在初级侧和次级侧，传送距离。
样品的平均电阻率ρ=RS⋅t，薄层电阻RS的决定如下。对于电阻率各向异性材料、个别电阻组件，如ρx或ρy，可以使用蒙哥马利方法计算。 测量样品一边的电流（例如I12）和对边的电压（在这里是V34）。根据这两个值，使用欧姆定律（在这里就是 R 12 , 34 {\displaystyle R_{12,34}} ）可以得到一个电阻：。
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8°C, 4.2K）的液氦冷却汞时，电阻突然骤降到接近零欧姆（0Ω），此现象即为超导现象。隨后，他又发现在低温下铅、锡也和汞一样具有相似的超导特性。超导效应的发展前景可观，如果能使超导材料在室温下应用，將能大大提高输电的效能，延长材料使用的寿命，降低热损耗。近年，物理学家正不断寻找超导转变温度（。
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