摘要：中国青年报客户端讯(马松涛中青报·中青网记者林洁)近日，由中建八局承建的广州南沙全民文化体育综合体综合体育场主体结构封顶。封顶仪式现场。马松涛/摄作为广州市南沙区建设大湾区战略平台的重大民生工程，南沙全民文化体育综合体项目位于粤港澳大湾区的“几何中心”—..
...中国青年报客户端讯(马松涛中青报·中青网记者林洁)近日，由中建八局承建的广州南沙全民文化体育综合体综合体育场主体结构封顶。封顶仪式现场。马松涛/摄作为广州市南沙区建设大湾区战略平台的重大民生工程，南沙全民文化体育综合体项目位于粤港澳大湾区的“几何中心”—..
更新：船龄结构步入更替区间，环保需求加速新老船舶替换。从2008年大规模交付开始距今，已有16年；如果再考虑当前产能情况再加3年交船期，现有船队中大量本世纪前10年交付的船舶船龄已经接近或超过20年，即将进入上轮交付高峰替换区间。订单：五大船型均衡发力，油轮/散货表现亮眼说完了。
geng xin ： chuan ling jie gou bu ru geng ti qu jian ， huan bao xu qiu jia su xin lao chuan bo ti huan 。 cong 2 0 0 8 nian da gui mo jiao fu kai shi ju jin ， yi you 1 6 nian ； ru guo zai kao lv dang qian chan neng qing kuang zai jia 3 nian jiao chuan qi ， xian you chuan dui zhong da liang ben shi ji qian 1 0 nian jiao fu de chuan bo chuan ling yi jing jie jin huo chao guo 2 0 nian ， ji jiang jin ru shang lun jiao fu gao feng ti huan qu jian 。 ding dan ： wu da chuan xing jun heng fa li ， you lun / san huo biao xian liang yan shuo wan le 。
金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，北京小米移动软件有限公司申请一项名为“防水结构、电子设备和防水结构的制造方法“公开号CN117715329A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种防水结构、电子设备和防水结构的制造方法，防水结构包括基体和还有呢？
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金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“天线结构及包括该天线结构的电子设备“公开号CN117716578A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，根据本公开各种实施方式的电子设备包括：第一壳体，包括第一导电部分、第一非导电部分以及从是什么。
金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，浙江数智交院科技股份有限公司申请一项名为“一种钢结构桥梁设计节点加固装置“公开号CN117702642A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明涉及钢结构桥梁技术领域，公开了一种钢结构桥梁设计节点加固装置，包括：连接还有呢？
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金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，荣耀终端有限公司申请一项名为“连接结构及电子设备“公开号CN117714569A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本申请实施例提供一种连接结构及电子设备，该连接结构应用于电子设备中，连接结构至少包括：第一壳体、锁合件以说完了。
金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，荣耀终端有限公司申请一项名为“封装结构及电子设备“公开号CN117715351A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本申请实施例涉及电子设备技术领域，提供一种封装结构及电子设备。该封装结构包括：支架，设置有容纳腔和第一内是什么。
金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，荣耀终端有限公司申请一项名为“转轴结构及折叠式终端“公开号CN117714567A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本申请实施例提供了一种转轴结构及折叠式终端，可实现折叠式终端的稳定悬停。该转轴结构包括：轴盖；基座，固等会说。
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金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，江苏卓胜微电子股份有限公司申请一项名为“电感结构及其制备方法“公开号CN117712105A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本申请涉及一种电感结构及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一电感部，第一电感部包括第神经网络。
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金融界2024年3月15日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“公开号CN117712028A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体的制备方法包括：提供基底，且于基底上形成半导体接触层等我继续说。
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