摘要：今年以来，克东县市场监督管理局积极推动知识产权保护体系建设，为企业提供知识产权指导服务，激发知识产权对促进产业转型升级、提升企业核心竞争力的引领带动作用，全力做好知识产权保护工作，为全县企业高质量发展保驾护航。强化宣传，提升企业知识产权保护意识积极开展专项服神经网络。
...今年以来，克东县市场监督管理局积极推动知识产权保护体系建设，为企业提供知识产权指导服务，激发知识产权对促进产业转型升级、提升企业核心竞争力的引领带动作用，全力做好知识产权保护工作，为全县企业高质量发展保驾护航。强化宣传，提升企业知识产权保护意识积极开展专项服神经网络。
在谈到香港要推进知识产权贸易中心建设时，何超琼说，中国是全球最大的专利、商标及外观设计申请来源地。在世界知识产权组织2023年全球创新指数报告中，深圳—香港—广州科学技术集群名列第二。她建议，内地企业可利用香港的平台优势，安心进行知识产权交易；香港应抓住粤港澳大说完了。
zai tan dao xiang gang yao tui jin zhi shi chan quan mao yi zhong xin jian she shi ， he chao qiong shuo ， zhong guo shi quan qiu zui da de zhuan li 、 shang biao ji wai guan she ji shen qing lai yuan di 。 zai shi jie zhi shi chan quan zu zhi 2 0 2 3 nian quan qiu chuang xin zhi shu bao gao zhong ， shen zhen — xiang gang — guang zhou ke xue ji shu ji qun ming lie di er 。 ta jian yi ， nei di qi ye ke li yong xiang gang de ping tai you shi ， an xin jin xing zhi shi chan quan jiao yi ； xiang gang ying zhua zhu yue gang ao da shuo wan le 。
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金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，海信视像科技股份有限公司申请一项名为“显示设备“公开号CN117666201A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明提供一种显示设备，该显示设备包括显示面板；背光模组，所述背光模组包括光学膜片组、背光板和多个间隔设置神经网络。
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金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，天能电池集团股份有限公司申请一项名为“一种铅蓄电池用的电解液及其制备方法“公开号CN117673511A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明涉及一种铅蓄电池用的电解液及其制备方法，属于铅蓄电池技术领域，提出的电解是什么。
金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，通用汽车环球科技运作有限责任公司申请一项名为“具有可变不透明度的车辆系统“公开号CN117666152A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种用于提供可变不透明度的系统包括设置在车辆处的偏振组件。偏振组件包括具有多等我继续说。
金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，上海艾力斯医药科技股份有限公司申请一项名为“新型吡啶并嘧啶衍生物“公开号CN117677624A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本发明提供一种新型吡啶并嘧啶衍生物、药学上可接受的盐、酯、立体异构体或互变异构体、及是什么。
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金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，中国银行股份有限公司申请一项名为“文件传输信息的处理方法、设备及存储介质“公开号CN117675162A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本申请提供一种文件传输信息的处理方法、设备及存储介质，可用于区块链领域。该方法好了吧！
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金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，大众汽车股份公司申请一项名为“用于估计电池单体的内阻的方法和设备“公开号CN117677856A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，本发明涉及一种用于估计电池单体的内阻(20)的方法，所述方法包括以下措施：检测电池单体处的电说完了。
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金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，万凯新材料股份有限公司申请一项名为“一种酯化率自动调节的控制方法“公开号CN117654392A,申请日期为2023年3月。专利摘要显示，本发明为一种酯化率自动调节的控制方法，包括以下步骤，a,将EG和PTA以1.05‑1.25的摩尔比进等我继续说。
金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件和包括其的电子系统“公开号CN117677193A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种半导体存储器包括：衬底，所述衬底包括传输晶体管区域；外围电路结构，所述外围电路结构包括在后面会介绍。
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