摘要：金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法”，授权公告号CN113764414B,申请日期为2021年7月。专利摘要显示，公开了具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第还有呢？
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金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法”，授权公告号CN113764414B,申请日期为2021年7月。专利摘要显示，公开了具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第还有呢？
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金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“授权公告号CN113745220B,申请日期为2021年6月。专利摘要显示，示例性器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于第是什么。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 1 3 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， tai wan ji ti dian lu zhi zao gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ ban dao ti qi jian ji qi xing cheng fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 3 7 4 5 2 2 0 B , shen qing ri qi wei 2 0 2 1 nian 6 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， shi li xing qi jian bao kuo ： ge li qu yu ， wei yu chen di shang ； di yi qi ， zai ge li qu yu de ding mian zhi shang yan shen ； zha ji jie gou ， wei yu di shi shen me 。
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金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器装置、控制器和存储器系统“授权公告号CN111092620B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，公开了一种半导体存储器装置、控制器和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储说完了。
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金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体结构切割工艺和由此形成的结构“授权公告号CN109841619B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的后面会介绍。
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“公开号CN117393501A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。制造方法包括：刻蚀衬底以在衬底内形成多说完了。
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件以及其测试方法“公开号CN117393543A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件以及其测试方法，其中，该半导体器件包括：器件结构，包括MOS后面会介绍。
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法”，公开号CN117393574A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，并公开了一种半导体结构及其制造方法，其中所述半导体等会说。
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“公开号CN117393502A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底；第一阻挡层，设置在还有呢？
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件高效清洁装置“公开号CN117380635A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示，本发明公开一种半导体器件高效清洁装置，包括清洁组件，所述清洁组件包括设置的芯片清好了吧！
金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种功率半导体器件及其制作方法“公开号CN117393586A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种功率半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。所述功率半神经网络。
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